| 우리학교 정창욱 전자물리학과 교수, 새로운 비휘발성기억소자 발견해 |
2019-09-16 |
|
| 김나현 기자 | 98nahyuuuny@hufs.ac.kr |
조회수 306 댓글 0 |
|
|
|
지난달 정창욱 우리학교 자연과학대학 전자물리학과 정창욱 교수(이하 정 교수)가 국제저명학술지 (SCI)중에서도 상위 1%에 속하는 저명학술지 ‘어드밴스드 머티리얼스’(Advanced Materials)에 논문을 개제했다. 정 교수는 해당 논문을 △독일 아헨공대의 R.Dittmann 교수△R.Waser교수△서울대학교 김미영 교수와 공동으로 연구했으며 교신저자로 이름을 올렸다. 논문에는 고유한 *층상구조를 가지는 금속산화물인 SrFeOx에서 발생하는 저항스위칭 메모리 현상이 담겼다. 저항스위칭 메모리 현상이란 저항의 차이를 이용해 정보를 저장하는 것을 의미한다. 저항스위칭 메모리는 현재 사용되는 이동식저장장치나 **솔리드스테이트드라이브와 같은 저장매체를 대체할 차세대 비휘발성 메모리로 기대돼 왔다. 또한 저항스위칭 메모리의 주요 구성요소인 저항스위칭 기억소자는 ***뇌모방 정보처리와 관련해서도 핵심적인 부분을 차지하고 있어 주목을 받았다.
정 교수와 연구팀은 이번 연구에서 세계 최초로 SrFeOx에서 저항스위칭을 발견하는데 성공했다. 이는 상전이가 매우 재현성 있게 10ns이하의 초고속으로 기억상태를 바꾸는 스위칭이다. 이번 연구는 스위칭을 나노 수준에서 분명히 규명해 독창성과 규명성을 가졌다는 평가를 받고 있다. 한편 연구팀은 “이번 연구를 위해 이탈리아의 첨단 가속기 연구소에서 나노 분광기를 이용했다”고 밝혔다. 이와 같은 쾌거는 조선일보, 중앙일보를 비롯한 8개의 신문에 9월5-8일에 실렸다.
*원자가 공유결합 등에 따라 강하게 결합해 조밀하게 배열한 면이 평행하게 중첩된 구조
**데이터를 쉽게 저장할 수 있는 ‘낸드 플래시 메모리’를 매체로 쓰는 데이터 장치
***뇌에 기반한 정보처리 매커니즘
김나현 기자 98nahyuuuny@hufs.ac.kr
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
